Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ3493EV-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ3493EV
SQ3493EV-T1_GE3 Hakkında
SQ3493EV-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle, 4.5V gate voltajında 21mΩ maksimum on-direnci sunar. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. 34nC gate charge ve 3300pF input kapasitansı özellikleriyle düşük işaret hızı uygulamalarında kullanılır. Yüksüz düzeyde kontrol edilebilir ve anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve genel amaçlı P-Channel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok