Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ3469EV-T1_GE3

MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SQ3469EV

SQ3469EV-T1_GE3 Hakkında

SQ3469EV-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj, 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 36mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-6 yüzey montajlı pakette sunulan bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, pil yönetim sistemleri ve LED sürücü gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir ve 5W maksimum güç dağıtımı yapabilir. Düşük kaptan yükü (27nC @ 10V) ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1020 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6.7A, 10V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok