Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ3461EV-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SQ3461EV

SQ3461EV-T1_GE3 Hakkında

SQ3461EV-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. SOT-23-6 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 25mΩ'luk düşük RDS(on) değeri sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, bekleme modları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 28nC'lik gate charge değeri hızlı anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok