Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ3460EV-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ3460EV
SQ3460EV-T1_GE3 Hakkında
SQ3460EV-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 30mΩ maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. SOT-23-6 yüzey montajlı paket tipi, kompakt tasarımlara uygun hale getirir. Gate charge 14nC ve input capacitance 1060pF özellikleri ile hızlı anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve geniş sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sunar. Mobil cihazlar, batarya yönetim devreleri, LED sürücüleri ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1060 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok