Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ3427EV-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ3427EV
SQ3427EV-T1_GE3 Hakkında
SQ3427EV-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi, 5.3A sürekli drain akımı ve 95mOhm on-resistance değerleriyle anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 yüzey montajlı paket tipinde sunulan bu FET, -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığına sahiptir. 22nC gate charge ve 1000pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. Endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve ters polarite koruması uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok