Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ3427AEEV-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ3427AEEV
SQ3427AEEV-T1_GE3 Hakkında
SQ3427AEEV-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 5.3A sürekli dren akımı ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 95mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. SOT-23-6 (6-TSOP) SMD paketi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok