Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ3426EV-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SQ3426EV

SQ3426EV-T1_BE3 Hakkında

SQ3426EV-T1_BE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 7A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum RDS(on) değeri 10V gate geriliminde 42mΩ olup, düşük iletim direnci gerektiren anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilmektedir. Motor kontrol, DC-DC konvertörler, güç dağıtım ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 720 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok