Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ3425EV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ3425EV
SQ3425EV-T1_GE3 Hakkında
SQ3425EV-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drenaj-kaynak gerilimi ve 7.4A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 paketinde sıkıştırılan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 4.5V gate geriliminde 60mOhm olup, düşük kayıp uygulamaları için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, batarya yönetim sistemleri ve hoş yüksüz kontrol uygulamalarında tercih edilir. 10.3nC gate yükü ve 840pF input kapasitanı ile hızlı komütasyon özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok