Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ3425EV-T1_BE3
MOSFET P-CH 20V 7.4A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ3425EV
SQ3425EV-T1_BE3 Hakkında
SQ3425EV-T1_BE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilim, 7.4A sürekli drenaj akımı ve 60mΩ RDS(on) değeri ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olan bu bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. 10.3nC gate charge ve düşük input kapasitansı (840pF) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunar. Güç amplifikatörleri, battery management systems, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok