Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ3419EV-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ3419EV
SQ3419EV-T1_GE3 Hakkında
SQ3419EV-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajı ve 6.9A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 58mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıpla anahtarlama sağlar. 10V gate voltajında optimize edilen bu MOSFET, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, batarya uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 990 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok