Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ3419AEEV-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ3419AEEV
SQ3419AEEV-T1_GE3 Hakkında
SQ3419AEEV-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 6.9A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SOT-23-6 (6-TSOP) paketinde sunulan bu bileşen, düşük 61mOhm on-dirençi (Rds On) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve dijital lojik kontrolünde kullanılır. 12.5nC gate yükü ve 975pF input kapasitansı ile hızlı komütasyon özelliği vardır. Surface mount teknolojisiyle üretilen bu FET, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 975 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok