Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ3418AEEV-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 30V 7.8A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SQ3418AEEV

SQ3418AEEV-T1_GE3 Hakkında

SQ3418AEEV-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V ve 40V maksimum drain-source voltajı ile çalışan bu bileşen, 8A sürekli drain akımı sağlayabilir. SOT-23-6 paketinde sunulan transistör, 35mΩ maksimum on-dirençi (10V, 6A koşullarında) ile düşük güç kaybı sunmaktadır. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar. 5W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile power management, LED sürücüleri, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan endüstriyel seviye bir transistördür. Düşük kapı yükü (3.5nC @ 4.5V) hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 528 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok