Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ3418AEEV-T1_BE3

MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SQ3418AEEV

SQ3418AEEV-T1_BE3 Hakkında

SQ3418AEEV-T1_BE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 8A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 32mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 10V gate voltajında 12.4nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliğini gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 675 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok