Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ3410EV-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ3410EV
SQ3410EV-T1_GE3 Hakkında
SQ3410EV-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-6 paketlemesi ile yüzey montajı uygulamalarında kullanılır. 17.5mOhm maximum on-direnci (Rds On) ve 21nC gate yükü özellikleri ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında, düşük gerilim motor kontrolü ve LED sürücü devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 4.5V ve 10V gate sürücü gerilimlerinde optimize edilmiştir. 1005pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1005 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok