Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2398ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2398ES
SQ2398ES-T1_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQ2398ES-T1_GE3, 100V drain-source voltaj ve 1.6A sürekli dren akımı yeteneğine sahip N-Channel MOSFET transistördür. SOT-23-3 yüzey montaj paketi ile küçük boyutlu uygulamalar için uygundur. 300mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılabilir. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetiminde ve düşük güç DC-DC dönüştürücülerinde tercih edilir. ±20V maksimum gate voltajı ve 3.5V threshold voltajı ile TTL/CMOS lojik seviyeleriyle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 152 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok