Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2389ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2389ES
SQ2389ES-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQ2389ES-T1_GE3, 40V drain-source voltaj ve 4.1A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip P-Channel MOSFET transistörüdür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 94mOhm'luk Rds(On) değerine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen ve maksimum 3W güç tüketim kapasitesine sahip bu transistör, düşük sinyal seviyesinde anahtarlama, güç yönetimi devrelerinde ve hafif yüklerin kontrolünde kullanılır. 12nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 94mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok