Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ2389ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SQ2389ES

SQ2389ES-T1_BE3 Hakkında

Vishay SQ2389ES-T1_BE3, P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajında 4.1A sürekli akım kapasitesine sahiptir. SOT-23-3 (TO-236) yüzey monte paketi ile kompakt boyutlar sunmaktadır. 94mOhm maksimum on-resistance (10V Vgs'te) ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Kapı-kaynak voltajı ±20V'ye kadar uygulanabilir. 12nC gate charge ve 420pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama sağlar. Güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüsü ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 94mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok