Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2364EES-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2364EES
SQ2364EES-T1_GE3 Hakkında
SQ2364EES-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim ve 2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile çalışır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulmuştur. 240mΩ on-direnç (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, LED sürücüleri, güç yönetimi ve genel dijital lojik arayüz uygulamalarında kullanılır. 3W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok