Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2362ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2362ES
SQ2362ES-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQ2362ES-T1_GE3, N-channel MOSFET transistörü olup 60V drain-source voltajında 4.3A sürekli drenaj akımı sağlar. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 95mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük açılış direncine sahiptir. Gate charge değeri 12nC olup 10V sürü voltajında çalıştırılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve dijital lojik sürücü uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 3W maksimum güç tüketimi ile sınırlı alanda verimli bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 4.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok