Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2362ES-T1_BE3
MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2362ES
SQ2362ES-T1_BE3 Hakkında
SQ2362ES-T1_BE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim kapasitesine sahip bu bileşen, 4.3A sürekli drenaj akımında çalışabilir. SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu transistör, 68mΩ maksimum on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 3W güç yayabilir. 10V gate geriliminde 12nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Düşük sinyal işleme, güç yönetimi, motor kontrolü ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok