Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2361ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2361ES
SQ2361ES-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQ2361ES-T1_GE3, 60V drain-source geriliminde çalışabilen P-Channel MOSFET transistördür. 2.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 177mΩ maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 2W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Gate charge ve input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanımı uygun kılmaktadır. Düşük seviye sinyal anahtarlaması, power management devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 177mOhm @ 2.4A, 10V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok