Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2361ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2361ES
SQ2361ES-T1_BE3 Hakkında
SQ2361ES-T1_BE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilim yeteneği ve 2.8A sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 177mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve sinyal kontrolü uygulamalarında yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 12nC gate charge ve 550pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. Cep telefonları, taşınabilir cihazlar ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılan kompakt ve verimli bir MOSFET çözümüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 177mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok