Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2361EES-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2361EES
SQ2361EES-T1-GE3 Hakkında
Vishay SQ2361EES-T1-GE3, 60V drain-source gerilimi ile çalışan P-Channel MOSFET transistördür. 2.5A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlama ve doğrulama uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, 150mΩ maksimum RDS(on) değeri ile minimal güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arası işletme sıcaklığında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, batarya yönetimi, güç dağıtım modülleri ve taşınabilir elektronik cihazlarda yaygın olarak uygulanır. 2W maksimum güç disipasyonu ile sınırlı ısıl ortamlarda tercih edilir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 545 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok