Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2361AEES-T1_BE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2361AEES
SQ2361AEES-T1_BE3 Hakkında
SQ2361AEES-T1_BE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltajı ve 2.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 170mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu bileşen, batarya yönetim sistemleri, güç kaynağı kontrol devreleri, yük anahtarlaması ve genel amaçlı switching uygulamalarında yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, gümrük endüstrisi ve tüketici elektronikleri tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok