Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2360EES-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2360EES
SQ2360EES-T1-GE3 Hakkında
SQ2360EES-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ve 4.4A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahip bu bileşen, küçük sinyal anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 85mΩ (10V, 6A'de) düşük on-direnci, şarj kontrolörü, DC-DC dönüştürücü, motor sürücü ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda verimli çalışma sağlar. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, kompakt tasarımlar için idealdir. 2.5V eşik gerilimi (Vgs) ile CMOS ve TTL devrelerle doğrudan uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 370 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok