Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2351ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2351ES
SQ2351ES-T1_GE3 Hakkında
SQ2351ES-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3.2A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate geriliminde 115mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sunar. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Düşük güç tüketimi ve kompakt boyutu sayesinde pil yönetim devreleri, anahtarlama uygulamaları, güç dağıtım sistemleri ve hafif yük kontrolü gibi mobil cihazlar ve taşınabilir elektronik ürünlerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok