Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ2351ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SQ2351ES

SQ2351ES-T1_BE3 Hakkında

Vishay SQ2351ES-T1_BE3, P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj desteği ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 3.2A sürekli drain akımı kapasitesi, 115mΩ (4.5V, 2.4A) on-state direnç değeri ile güç tüketimi minimize edilmiş devreler tasarlanabilir. Surface mount SOT-23-3 paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, kontrol devreleri, güç yönetimi, anahtarlama güç kaynakları ve dijital lojik arayüz uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok