Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ2348ES-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 8A TO236

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SQ2348ES

SQ2348ES-T1_GE3 Hakkında

SQ2348ES-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 24mOhm maksimum On-Resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, load switch uygulamaları ve genel dijital lojik seviyesi anahtarlama işlemlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 3W güç dağılımı kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok