Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2337ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2337ES
SQ2337ES-T1_GE3 Hakkında
SQ2337ES-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 80V Vdss ve 2.2A sürekli dren akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (290mΩ @ 1A, 4.5V) sayesinde güç kaybını minimize eder. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve batarya uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate charge karakteristiği (18nC @ 10V) hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok