Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2325ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2325ES
SQ2325ES-T1_GE3 Hakkında
SQ2325ES-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilim ve 840mA sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-236 (SOT-23-3) surface mount paketi ile kompakt uygulamalara uygun hale getirilmiştir. 1.77Ω on-resistance değeriyle güç kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 3W maksimum güç dağıtabilir. Analog anahtarlama, yük kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 10V gate drive voltajında optimum performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 840mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.77Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok