Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2319ADS-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2319ADS
SQ2319ADS-T1_GE3 Hakkında
SQ2319ADS-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajı ve 4.6A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket ile kompakt uygulamalara uygunluk sağlar. 75mOhm on-resistance değeri ve 16nC gate charge karakteristiği ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, yük kontrol uygulamalarında ve genel amaçlı MOSFET uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok