Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ2319ADS-T1_BE3

MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SQ2319ADS

SQ2319ADS-T1_BE3 Hakkında

SQ2319ADS-T1_BE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj dayanımı ve 4.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 SMD paketlemesi ile kompakt PCB tasarımlarına uygundur. 10V gate voltajında 75mOhm RDS(on) değeri ile düşük ısıl kayıplar sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, batarya yönetimi, güç dağıtımı, LED kontrolü ve dc-dc konvertörlerde yaygın olarak yer alır. 2.5W maksimum güç dağıtımı kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok