Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2318AES-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2318AES
SQ2318AES-T1_GE3 Hakkında
SQ2318AES-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilim dayanımına ve 8A sürekli drain akımına sahiptir. SOT-23-3 yüzey montaj paketi ile küçük form faktörü sunar. 31mΩ RDS(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate threshold voltajı 2.5V'dir ve ±20V gate gerilim toleransı vardır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, DC-DC konvertörler ve düşük sinyal seviyesi kontrol devrelerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 555 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 7.9A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok