Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2318AES-T1_BE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2318AES
SQ2318AES-T1_BE3 Hakkında
Vishay SQ2318AES-T1_BE3, 40V drain-source geriliminde 8A sürekli dren akımı sağlayan N-Channel MOSFET transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. 10V gate geriliminde 31mOhm tipik RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüler ve genel DC anahtarlama devreleri başta olmak üzere endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. 13nC gate charge değeri hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 553 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 7.9A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok