Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2315ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2315ES
SQ2315ES-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQ2315ES-T1_GE3, P-Channel MOSFET transistörü olup 12V drain-source voltajında sürekli 5A akım kapasitesine sahiptir. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, düşük gate charge (13 nC) ve 50mΩ RDS(on) değeriyle anahtar uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile +150°C arası geniş sıcaklık aralığında çalışabilen transistör, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri, load switches ve batarya koruma sistemlerinde kullanılır. Maksimum 2W güç dissipasyonu ve ±8V gate voltajı kapasitesiyle kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok