Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ2315ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SQ2315ES

SQ2315ES-T1_BE3 Hakkında

Vishay SQ2315ES-T1_BE3, P-Channel MOSFET transistörü olup 12V drain-source voltajında 5A sürekli akım kapasitesine sahiptir. SOT-23-3 yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate voltajda 50mOhm RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. 13nC gate charge ve 870pF input capacitance özellikleri, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun performans sunar. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında ve 2W maksimum güç dağılımı ile tasarlanmıştır. Anahtarlama, motor kontrolü, power management ve düşük gerilim uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok