Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2310ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 6A TO236
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2310ES
SQ2310ES-T1_GE3 Hakkında
SQ2310ES-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, SO-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 30mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 4.5V gate sürücü gerilimi ile standart lojik seviyesi uyumluluğu vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 485 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok