Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2309ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2309ES
SQ2309ES-T1_BE3 Hakkında
Vishay SQ2309ES-T1_BE3, 60V maksimum Drain-Source gerilimi ile çalışan P-Channel MOSFET transistördür. 1.7A sürekli drain akımı kapasitesi ve 335mΩ (10V, 1.25A koşullarında) RDS(on) değeri ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. 2W maksimum güç dağıtım kapasitesi, 8.5nC gate charge değeri ve düşük input capacitance özellikleriyle, batarya yönetim devreleri, elektronik anahtarlar ve sinyal kontrol uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 265 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 335mOhm @ 1.25A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok