Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ2308CES-T1_BE3

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SQ2308CES

SQ2308CES-T1_BE3 Hakkında

Vishay SQ2308CES-T1_BE3, 60V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. 2.3A sürekli dren akımı kapasitesine ve 150mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketlemede üretilen bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 4.5V-10V sürüş voltajı aralığında kullanılır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve düşük güçlü doğrultma işlemlerinde tercih edilir. Düşük gate charge değeri (5.3nC @ 10V) hızlı anahtarlamaya olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 205 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 2.3A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok