Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2303ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2303ES
SQ2303ES-T1_BE3 Hakkında
SQ2303ES-T1_BE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim, 2.5A sürekli drain akımı ve 170mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışır, 1.9W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok