Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2301ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2301ES
SQ2301ES-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQ2301ES-T1_GE3, P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 3.9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 120mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-236 (SOT-23-3) yüzey monte paketinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 8nC olup hızlı komutasyon sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. 3W maksimum güç harcaması ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 425 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TA) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TO-236 (SOT-23) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok