Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SQ2301ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SQ2301ES
SQ2301ES-T1_BE3 Hakkında
Vishay SQ2301ES-T1_BE3, P-channel MOSFET transistördür. 20V Vdss derecelendirilmesi ile 3.9A sürekli dren akımı sağlayabilir. 120mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, yük kontrolü ve başlatma devreleri gibi alanlarda yaygın şekilde kullanılır. 8 nC gate charge değeri ile sürücü gereksinimleri minimumdur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 425 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok