Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SQ1470AEH-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
SQ1470AEH

SQ1470AEH-T1_GE3 Hakkında

SQ1470AEH-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 65mΩ maksimum on-state direnç (Rds On) ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-363 (SC-70-6) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, portatif cihazlar, batarya yönetim sistemleri, güç dağıtımı modülleri ve düşük gerilim dijital devrelerde sürücü olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve tüketici ürünlerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Supplier Device Package SC-70-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok