Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPW35N60C3FKSA1
MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPW35N60C3
SPW35N60C3FKSA1 Hakkında
SPW35N60C3FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFETidir. 650V drain-source gerilimi ve 34.6A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 100mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge değeri 200nC olup, hızlı anahtarlama özelliği vardır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel invertörler, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Active statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 313W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 21.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1.9mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok