Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPW20N60CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
SPW20N60CFDF

SPW20N60CFDFKSA1 Hakkında

SPW20N60CFDFKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 20.7A sürekli drenaj akımı ve 220mOhm maksimum Rds(On) değeri ile yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilen transistör, enerji dönüştürme devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek gerilim SMPS uygulamalarında yer alır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında 208W güç tüketebilmesi, endüstriyel ve ağır uygulamalara uygunluğunu gösterir. Part Status olarak yeni tasarımlara önerilmemekte olup, mevcut sistemlerde ve bakım amaçlı kullanımlara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 13.1A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok