Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPW20N60C3FKSA1

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
SPW20N60C3

SPW20N60C3FKSA1 Hakkında

SPW20N60C3FKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanallı güç MOSFETidir. 650V drain-source gerilim ve 20.7A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç elektronik sistemlerinde yer almaktadır. 190mΩ maksimum RDS(on) değeri ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde çeşitli ortamlarda kullanıma elverişlidir. Gate charge değeri 114nC olup, hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 13.1A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok