Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPW12N50C3FKSA1

MOSFET N-CH 560V 11.6A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
SPW12N50C3

SPW12N50C3FKSA1 Hakkında

SPW12N50C3FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 560V N-Channel MOSFET transistörüdür. 11.6A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrolü işlevlerinde kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 10V gate sürüş geriliminde 380mOhm Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 125W güç yayabilir. AC-DC dönüştürücüler, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç uygulamalarında tercih edilir. Gate charge değeri 49nC olup, 1200pF input kapasitansı bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 560 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 500µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok