Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPW11N80C3FKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPW11N80C3
SPW11N80C3FKSA1 Hakkında
SPW11N80C3FKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 800V N-Channel MOSFET transistörüdür. 11A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektrik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 450mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli iletim sağlar. ±20V gate-source voltaj aralığı ve 85nC gate charge değerleri hızlı sürülme kabiliyeti sunur. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, motor denetleyicileri ve yüksek voltaj anahtarlama devreleri için uygundur. TO-247-3 paket tipi yüksek dissipasyon uygulamaları için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 7.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok