Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPW11N60CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPW11N60CFDFKSA1
SPW11N60CFDFKSA1 Hakkında
SPW11N60CFDFKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 440mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, endüstriyel güç yönetimi devreleri, motor sürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. 125W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile tasarlanmıştır. Bileşen obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok