Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPW11N60C3FKSA1

MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
SPW11N60C3

SPW11N60C3FKSA1 Hakkında

SPW11N60C3FKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 kasa tipi ile montajı kolaylıkla sağlanır. 125W maksimum güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel uygulamalara uygundur. 380mOhm on-resistance değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün, Rochester Electronics tarafından üretilmesi nedeniyle legacy/obsolete kategorisindedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package PG-TO247-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 500µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok